3.3 半导体随机存取存储器

3.3 半导体随机存取存储器

　　半导体随机存储器RAM又可分为SRAM和DRAM两种，本节分别介绍这两种半导体存取存储器的工作原理。

3.3.1 SRAM存储器的工作原理

　　通常把存放一个二进制位0或1的物理器件称为记忆单元，它是组成存储器的基础和核心，地址码相同的多个记忆单元构成一个存储单元。
　　SRAM存储器的记忆单元是用双稳态触发器来记忆信息的，如图3-2所示是6管SRAM记忆单元电路。从图3-2中可以看出，T1～T6管构成一个记忆单元的主体，能存放一位二进制信息，其中：T1和T2管构成存储信息的双稳态触发器；T3和T4管构成门控电路，控制读写操作；T5和T6是T1和T2管的负载管。
　　根据图3-2所示，SRAM存储器工作原理具体如下。
　　（1）A，B点的电平代表该六管单元的二进制信息状态。
　　（2）写信息：地址选择线为高电平，T3，T4导通，则I/O线与A点相连，线与B点相连。
　　 若写入1，则A=1，B=0，使T1截止，T2导通；
　　 若写入0，则A=0，B=1，使T1导通，T2截止。
　　此时写入信号与地址译码信号消失，该6管单元状态仍然保持稳定。
　　（3）读信息：地址选择线为高电平，使T3，T4导通，则A点、B点状态分别被送至I/O、 线，且六管单元的状态不变。
　　SRAM特点是，电路工作稳定，不需要刷新电路，但MOS管数多，集成度不高，且功耗较大。一般用来组成高速缓冲存储器和小容量主存系统。